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IRF6614
1000
1000
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
1
10
2.3V
0.1
0.01
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
2.3V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100.0
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
10.0
1.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.5
1.0
I D = 12.7A
VGS = 10V
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
4000
3000
2000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
30
25
20
15
TA= 25°C
VGS = 3.0V
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
1000
10
Coss
Crss
0
5
1
10
100
0
20
40
60
80
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current and Gate Voltage
www.irf.com
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